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Transistor pacchetto Dfn Mosfet a canale N G30n03D3 30V 30A per ricarica rapida
Transistor a pacchetto DFN MOSFET G30N03D3 30V 30A a canale N per carica rapida Descrizione generale Il G30N03D3 utilizz
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Informazioni basilari.
Modello numero. | G30N03D3 |
Spq | 4000 pezzi/bobina |
Pacchetto di trasporto | Cartone |
Specifica | Pacchetto DFN |
Marchio | COMFORT |
Origine | Cina |
Codice SA | 8541290000 |
Descrizione del prodotto
Transistor con pacchetto DFN MOSFET a canale N G30N03D3 30V 30A per ricarica rapidaDescrizione generale Il G30N03D3 utilizza la tecnologia trench avanzata per fornire un eccellente RDS(ON) e una bassa carica di gate. Può essere utilizzato in un'ampia varietà di applicazioni.
Caratteristiche generali
Caratteristiche generaliVDS 30V ID (a VGS = 10 V) 30 A RDS (ON) (a VGS = 4,5 V) <12 mΩ Testato a valanga al 100% Conforme a RoHS
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Clienti principali
Dalla sua fondazione nel 1995, Goford Semiconductor si è sviluppata fino a diventare un'azienda globale con uffici negli Stati Uniti, Hong Kong, Australia, Shenzhen e Jiangsu. Ci siamo sempre dedicati alla ricerca e sviluppo e alla vendita di prodotti Mosfet di potenza. Ci concentriamo sull'efficienza energetica, sulla mobilità e sull'affidabilità per fornire al mercato prodotti convenienti.
Le nostre applicazioni di prodotto sono: sigarette elettroniche, linea dati Apple, attenuazione LED, alimentatore mobile, presa USB, ecc. Forniamo un forte supporto tecnico per i nostri prodotti. Con un grande volume di vendite, possiamo garantire una buona competitività sia in termini di qualità che di prezzo.
I nostri serviziRimborso e sostituzione:
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