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Aug 13, 2023

Infineon H7 650V IGBT aggiunge diodo...

I dispositivi IGBT H7 sono dotati di un diodo co-packed EC7 con un design avanzato controllato dall'emettitore, abbinato a una tecnologia ad alta velocità per rispondere alla crescente necessità di soluzioni rispettose dell'ambiente e

I dispositivi IGBT H7 sono dotati di un diodo co-packed EC7 con un design avanzato controllato dall'emettitore, abbinato a una tecnologia ad alta velocità per soddisfare la crescente necessità di soluzioni di alimentazione rispettose dell'ambiente e altamente efficienti.

L'IGBT7 H7 utilizza la più recente tecnologia di trincea a micro-pattern per migliorare il controllo e le prestazioni del dispositivo, con conseguente significativa riduzione delle perdite, migliore efficienza e maggiore densità di potenza. Il dispositivo è destinato a inverter di stringa, sistemi di accumulo di energia (ESS), applicazioni di ricarica di veicoli elettrici e applicazioni tradizionali come UPS industriali e saldatura.

In un contenitore discreto, l'H7 può fornire da 40 A a 150 A, offerti in quattro diversi tipi di contenitore: TO-247-3 HCC, TO-247-4, TO-247-3 Plus e TO-247-4 Plus.

La variante TO-247-3 HCC dell'H7 presenta un'elevata distanza superficiale. Per migliorare le prestazioni, i contenitori Kelvin TO-247 a 4 pin riducono le perdite di commutazione, ma offrono anche vantaggi aggiuntivi come un minore superamento della tensione, perdite di conduzione ridotte al minimo e la più bassa perdita di corrente inversa. Ciò semplifica la progettazione e riduce al minimo la necessità di collegare i dispositivi in ​​parallelo.

L'IGBT H7 da 650 V presenta inoltre una robusta resistenza all'umidità per un funzionamento affidabile in ambienti difficili ed è qualificato per l'uso industriale secondo i test pertinenti di JEDEC47/20/22, in particolare HV-H3TRB, che lo rendono adatto per applicazioni esterne.

Il TRENCHSTOP IGBT 7 H7 può essere ordinato adesso. Inoltre, sono disponibili campioni di qualificazione.

www.infineon.com/discreteigbt7