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Jun 27, 2023

Transistori a radiofrequenza superconduttori

Elettronica di potenza Nature Electronics volume 6, pagina 470 (2023) Cita questo articolo 156 Accessi Dettagli metriche Gli HEMT sono basati sull'arseniuro di indio e gallio (InGaAs) e utilizzano superconduttori

Elettronica di potenza

Nature Electronics volume 6, pagina 470 (2023)Citare questo articolo

156 accessi

Dettagli sulle metriche

Gli HEMT sono basati sull'arseniuro di indio e gallio (InGaAs) e utilizzano contatti superconduttori a base di niobio. A 4 K i contatti a base di niobio hanno una resistenza di 37 Ω μm, circa il 20% inferiore rispetto ai contatti a base di molibdeno. Un HEMT InGaAs con lunghezza di gate di 70 nm ha mostrato (a 4 K) una frequenza di taglio del guadagno unitario di 601 GHz e una frequenza di taglio del guadagno di potenza unitaria di 593 GHz. I ricercatori – che lavorano presso il Korea Advanced Institute of Science and Technology, il Korea Basic Science Institute, il Korea Advanced Nano Fab Center e la Korea National University – mostrano anche che la dissipazione di potenza dei circuiti di instradamento può essere ridotta del 41% utilizzando un'interconnessione basata su niobio e eterostrutture III-V.

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Natura Elettronica https://www.nature.com/naelectron/

Matteo Parker

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Corrispondenza con Matthew Parker.

Ristampe e autorizzazioni

Parker, M. Transistor a radiofrequenza superconduttori. Nat Elettrone 6, 470 (2023). https://doi.org/10.1038/s41928-023-01007-w

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Pubblicato: 26 luglio 2023

Data di emissione: luglio 2023

DOI: https://doi.org/10.1038/s41928-023-01007-w

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